Technologie hochintegrierter Schaltungen (Halbleiter-Elektronik Bd.19) (2. Aufl. 1996. XIX, 363 S. m. 208 Abb. 23,5 cm)

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Kein anderes deutschsprachiges Buch beschreibt so kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zum 256-Mbit-Speicher. Die rasante Entwicklung der Prozeßtechnologie der letzten Jahre und Prognosen über das Jahr 2000 hinaus finden sich in dieser Neuauflage wieder. Der weltweite Aufschwung der Mikroelektronik bewirkt riesige Investitionen in die Chipfertigung, in Europa vor allem durch die Firma Siemens. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand.

Im vorliegenden Buch wird die Technologie von hochintegrierten Schaltungen behandelt. Es werden zunächst sehr ausführlich und praxisnah die verschiedenen technologischen Verfahren und Einzelprozesse aus den Bereichen Lithographie, Schicht-, Ätz- und Dotiertechnik beschrieben. Danach folgen Beispiele für die Integration der Einzelprozesse zur Herstellung von CMOS-, Bipolar- und BICMOS-Schaltungen. Sowohl die Einzelprozesse als auch die Prozeßintegration sind anschaulich mit zahlreichen Bildern dargestellt. Das Buch vermittelt nicht nur eine gute Übersicht, sondern auch sehr detaillierte Informationen über den modernsten Stand der Technologie hochintegrierter Schaltungen, wie sie z.B. bei der Herstellung des dynamischen IMEGA-Bit-Speichers Anwendung findet. Darüber hinausgehende Entwicklungen, die in den Sub-Mikrometer-Bereich führen, werden ebenfalls beschrieben. 1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.2 Trockenätzen.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.3 Scheibenreinigung.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Prozeßintegration.- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse.- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen.- 8.4 Speicherzellen.- 8.5 Mehrlagenmetallisierung.- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse.- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.

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