L objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l analyse de l effet d incorporation des atomes d azote et d antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l arsenic dans GaAs avec de l azote et/ou avec l antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d alliage ainsi que de l état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l optoélectronique. L analyse des résultats ellipsométriques par l utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques.
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